Средняя оценка: 0. (Отзывов: 0)

Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, Новосибирский филиал института физики полупроводников СО РАН

Название Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, Новосибирский филиал института физики полупроводников СО РАН
Адрес 630090, Новосибирск, Академика Лаврентьева проспект, 2/1
Телефон (383) 330-65-59, (383) 330-65-59
E-mail oos@oesd.ru
Сайт нет

Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, Новосибирский филиал института физики полупроводников СО РАН на карте:

Отзывы о «Конструкторско-технологический институт прикладной микроэлектроники, Новосибирский филиал института физики полупроводников СО РАН»

Добавить отзыв: